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... 近期，以5G位核心的「新基建」如火如荼： （1）5G基站建設 （2）特高壓 （3）城際高速鐵路和城際軌道交通 （4）新能源汽車充電樁 （5）大數據中心 （6）人工智慧 （7）工業網際網路。 跳出傳統基建的角度，從半導體的角度去審視新基建，充分體現出了系統牽引與技術創新雙輪驅動下的半導體產業發展趨勢。也體現出國家希望從系統端牽引以半導體為核心的科技產業的發展。貫穿於「新基建」中的半導體產品包括： （1）以碳化矽以及IGBT為核心的功率半導體：主要支撐了新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統； （2）以氮化鎵為核心的射頻半導體：主要支撐的是5G基站以及工業網際網路系統建設； （3）以AI晶片為核心的SOC晶片、人工智慧晶片：主要支撐的是數據中心、人工智慧系統建設； 反過來，也可以說： （1）5G基站建設，牽引了射頻半導體、功率半導體發展； （2）特高壓，牽引了功率半導體發展，尤其是碳化矽和IGBT； （3）軌道交通，同特高壓一樣，牽引碳化矽與IGBT； （4）新能源汽車，主要是碳化矽，氮化鎵也有一定作用； （5）大數據中心，牽引計算、存儲、網絡晶片以及功率器件； （6）人工智慧，牽引人工智慧晶片、通信晶片； （7）工業網際網路，牽引了通信晶片、傳感器件； 明顯的在「新基建」中，以氮化鎵和碳化矽為核心的新一代/第三代/寬禁帶半導體是主要的受益者。 第三代半導體：新基建的硬核科技。 在上兩期談過半導體、絕緣體、導體的的概念。 從禁帶的角度解釋，禁帶就相當於一條河，絕緣體就是禁帶很寬，電子從一端到不了另外一端；導體就是河窄到可以忽略了，電子隨意在兩側流動；半導體相當於河上有座橋，電子可以從橋上走，橋上如果管制了就不能走（不導電），如果放開了，就可以走（導電）。 ... 傳統的半導體材料矽的禁帶寬度為1.12eV(電子伏特)，而寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料，典型的是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。國際上所以說的寬禁帶半導體材料也是本文所指的第三代半導體，第三代半導體是比較具有中國特色的叫法。 ... 三代半導體的劃分是比較具有中國特色的。分法如下： ... 以上我們看到了是比較冰冷的半導體的材料的相關參數，如果將這些參數轉換為性能，則比較容易理解。 ... 所以，寬禁帶半導體最核心的功能就是提高了系統效率、減小了系統面積，從長遠的角度看，一定會降低系統的成本（目前還不行）。 以上是從「新基建」的角度說寬禁帶/第三代半導體，實際上寬禁帶/第三代半導體的核心應用還有在光電領域，比如2014年獲得諾貝爾獎的中村修二就是做氮化鎵藍光器件。大家也不難理解，為什麼三安光電突然可以做射頻或者功率。因為工藝比較相似，只是應用領域不同了。 ... 以上我們可以看到的是氮化鎵、碳化矽在光電、射頻以及功率領域的應用，也就不難發現「新基建」對寬禁帶半導體，也就是第三代半導體的引領作用。 產業界的布局實際上比較早： 小米是全球氮化鎵功率器件領導生產商Navitas的股東，拆解小米氮化鎵充電器，其中NV6115_NV6117器件應用其中。 華為參股了山東天岳，天岳作為中國為數不多的碳化矽襯底企業，碳化矽對於功率和射頻的重要意義不言而喻。 最近開盤就跌停的聞泰科技，收購的安世科技，也就是原來NXP下屬公司，在氮化鎵方面也有深入研究，大家可以看看安世的產品，也就不難理解為什麼聞泰要全面持股安世了。 2016年，大陸收購AIXTRON被否，然後中微半導體熱炒的原因，都是與第三代半導體有關。 疫情以來，紫外LED消毒技術也將氮化鎵推上一個風口，可以看看中科院半導體所在山西的公司布局。 面上是大家看到的，面下是以碳化矽與氮化鎵為核心的第三代半導體的暗潮洶湧。 在這一輪「新基建」的催化下，我們要充分相信資本的嗅覺 作者：SemiconMarathon 免責聲明：文中所有觀點僅代表作者個人意見，對任何一方均不構成投資建議。 版權保護：著作權歸原創作者所有，歡迎轉發並註明出處。
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